INA241B2IDDFR
INA241B2IDDFR
INA241B2IDDFR
Part Number:
INA241B2IDDFR
Manufacturer:
Description:
-5-V TO 110-V, BIDIRECTIONAL, HI
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$2.64
$2.64
10+
$1.96
$19.6
25+
$1.79
$44.75
100+
$1.61
$161
250+
$1.52
$380
500+
$1.46
$730
1000+
$1.42
$1420
حالة القطعة
Active
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 125°C
نوع الإخراج باللغة العربية
-
نوع التثبيت
Surface Mount
عدد الدوائر
1
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأدنى)
2.7 V
معدل الانحدار
8V/µs
التيار - الإمداد
2.5mA
الجهد - إزاحة الإدخال
25 µV
نوع المضخم
Current Sense
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأقصى)
20 V
المورد الجهاز الحزمة
TSOT-23-8
الحزمة / العلبة
SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8
التيار - انحياز الإدخال
35 µA
نطاق التردد -3 ديسيبل
1.1 MHz
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (