LT1013DDR
LT1013DDR
LT1013DDR
Part Number:
LT1013DDR
Manufacturer:
Description:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
1719
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$2.15
$2.15
10+
$1.58
$15.8
25+
$1.44
$36
100+
$1.29
$129
250+
$1.21
$302.5
500+
$1.17
$585
1000+
$1.13
$1130
حالة القطعة
Active
نوع المضخم
Standard
عدد الدوائر
2
نوع الإخراج باللغة العربية
-
نوع التثبيت
Surface Mount
الحزمة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأدنى)
5 V
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأقصى)
30 V
درجة حرارة التشغيل
0°C ~ 70°C (TA)
المورد الجهاز الحزمة
8-SOIC
منتج كسب عرض النطاق
1 MHz
معدل الانحدار
0.4V/µs
التيار - انحياز الإدخال
18 nA
الجهد - إزاحة الإدخال
90 µV
التيار - الإمداد
320µA (x2 Channels)
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (