AD8512TRZ-EP-R7
AD8512TRZ-EP-R7
AD8512TRZ-EP-R7
Номер детали:
AD8512TRZ-EP-R7
Производитель:
Описание:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1000
Кол-во
Цена
Итого
1000+
$6.63
$6630
Статус детали
Active
Количество схем
2
Тип вывода
-
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 125°C
Напряжение - Максимальный диапазон питания
30 V
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Тип усилителя
J-FET
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
10 V
Напряжение - Входное смещение
100 µV
Ток - Выход / Канал
70 mA
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
8 MHz
Скорость нарастания
20V/µs
Ток - Питание
2.2mA (x2 Channels)
Ток - Входное смещение
21 pA
Новейшие продукты
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (