TLV9062IDSGT
TLV9062IDSGT
TLV9062IDSGT
Номер детали:
TLV9062IDSGT
Производитель:
Описание:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8WSON
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
1795
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1.61
$1.61
10+
$1.17
$11.7
25+
$1.06
$26.5
100+
$0.94
$94
Ток - Выход / Канал
50 mA
Статус детали
Active
Количество схем
2
Тип монтажа
Surface Mount
Тип усилителя
CMOS
Тип вывода
Rail-to-Rail
Напряжение - Входное смещение
300 µV
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C (TA)
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
1.8 V
Ток - Входное смещение
0.5 pA
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
10 MHz
Напряжение - Максимальный диапазон питания
5.5 V
Скорость нарастания
6.5V/µs
Корпус
8-WFDFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус
8-WSON (2x2)
Ток - Питание
538µA (x2 Channels)
Новейшие продукты
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (