TS912BIYDT
TS912BIYDT
TS912BIYDT
Номер детали:
TS912BIYDT
Производитель:
Описание:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$2.34
$2.34
Статус детали
Active
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C
Количество схем
2
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип усилителя
CMOS
Тип вывода
Rail-to-Rail
Скорость нарастания
1.3V/µs
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Напряжение - Входное смещение
2 mV
Класс
Automotive
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
2.7 V
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
1.4 MHz
Ток - Выход / Канал
75 mA
Напряжение - Максимальный диапазон питания
16 V
Квалификация
AEC-Q100
Ток - Входное смещение
1 pA
Ток - Питание
230µA (x2 Channels)
Новейшие продукты
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (